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产品简介
美国SIMCO思美高离子发生器，具有广泛可调性的调制脉冲技术 & ISO 14644-12 离子化Simco-Ion, 技术集团的 Model 5635M AeroBar MP 离子化棒专为消除半导体和其他超净制造过程中所需的快速放电时间、低摆动电压和精密平衡而设计，但在这些过程中不允许暴露金属表面。
美国SIMCO思美高离子发生器
Simco-Ion, 技术集团的 Model 5635M AeroBar MP 离子化棒专为消除半导体和其他超净制造过程中所需的快速放电时间、低摆动电压和精密平衡而设计，但在这些过程中不允许暴露金属表面。AeroBar 使用 MP 技术，结合高频率正弦波与调制脉冲（MP）提供高离子输出和传输。这项突破性技术使 AeroBar 可以在离晶圆150毫米以内安装。MP 技术，结合超净硅发射点和精密调整，提供 ISO 14644-12 离子化（0.01 µm 颗粒或纳米颗粒）和 ISO 14644 Class 1（0.1 µm 颗粒）的清洁度，对于更小的技术节点至关重要。
ISO 14644-12 (0.01 µm粒子) 离子化和
ISO 14644 1级 (0.1 µm粒子) 清洁度
调制脉冲技术
无金属设计 “M"
出色的横向均匀性
低场电压
气辅助能力
可选软件，界面易于使用，具有广泛的可调性
报警输出信号
美国SIMCO思美高离子发生器
| 输入电压 | 输入：24 VDC ±10% 电源输入 RJ-45；0.7A（最-大） 输出：13.5 kV 峰峰值（最-大），可调 |
|---|---|
| 排放 | 在无空气辅助的情况下，15秒内±1000-100V（典型值），在发射器中心点下方24英寸处，Vp-p摆动为80 |
| 余额 | <在受控环境中于18英寸距离测量为±35伏 |
| 离子发射 | 调制脉冲 (MP) 技术 |
| 发射器 | ISO 14644-1 1类单晶硅 |
| 洁净室等级 | ISO 14644-1 (0.1 微米颗粒) 和扩展 ISO 1 级清洁度 (10 纳米颗粒或纳米颗粒)，使用 45-50% 输出电压设置和带有单晶硅发射器的 OpenJet 喷嘴 |
| 维度 | 3.1英寸高 x 1.3英寸宽 x 13.8 / 17.7 / 23.6 / 33.5 / 39.3 / 45.3 / 51.2 / 57.1 / 63.0 / 69.0 / 74.8 / 80.7 / 86.6 / 92.5英寸长 (7.8 x 3.4 x 35 / 45 / 60 / 85 / 100 / 115 / 130 / 145 / 160 / 175 / 190 / 205 / 220 / 235 厘米) |
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